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上海百圖氮化鋁粉工藝圖

發(fā)布時(shí)間:2023/12/25 作者: 上海百圖氮化鋁粉工藝圖

上海百圖氮化鋁粉工藝圖目錄

上海百圖氮化鋁粉工藝圖

氮化鋁是什么材料

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急問(wèn)氮化鋁的制備、性質(zhì)及用途

上海百圖氮化鋁粉工藝圖

氮化鋁粉是一種廣泛應(yīng)用于電子陶瓷、耐火材料、散熱材料、陶瓷增韌劑等領(lǐng)域的重要原料。在電子陶瓷領(lǐng)域,氮化鋁粉具有優(yōu)異的電絕緣性和高溫穩(wěn)定性,是制造電子器件和集成電路封裝材料的重要原料。在耐火材料領(lǐng)域,氮化鋁粉具有極高的熔點(diǎn)和化學(xué)穩(wěn)定性,是制造高級(jí)耐火材料和高溫爐具的重要原料。在散熱材料領(lǐng)域,氮化鋁粉具有良好的導(dǎo)熱性能和較小的熱膨脹系數(shù),是制造高效散熱器和電子元件散熱模塊的重要原料。在陶瓷增韌劑領(lǐng)域,氮化鋁粉能夠顯著提高陶瓷材料的韌性和抗沖擊性能,是制造高級(jí)陶瓷刀具和陶瓷軸承等高附加值產(chǎn)品的關(guān)鍵原料。

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氮化鋁是什么材料

氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料。

氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價(jià)鍵化合物,晶格參數(shù)為a=3.114,c=4.986。

純氮化鋁呈藍(lán)白色,通常為灰色或灰白色,是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。

氮化鋁(AlN)具有高強(qiáng)度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數(shù)、與硅匹配好等特性,不但用作結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)助劑或增強(qiáng)相,尤其是在近年來(lái)大火的陶瓷電子基板和封裝材料領(lǐng)域,其性能遠(yuǎn)超氧化鋁。

氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法,此外還有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反應(yīng)合成法、等離子化學(xué)合成法及化學(xué)氣相沉淀法等。

氮化鋁的發(fā)展

由于氮化鋁是共價(jià)化合物,自擴(kuò)散系數(shù)小,熔點(diǎn)高,導(dǎo)致其難以燒結(jié),直到20世紀(jì)50年代,人們才首次成功制得氮化鋁陶瓷,并作為耐火材料應(yīng)用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。

自20世紀(jì)70年代以來(lái),隨著研究的不斷深入,氮化鋁的制備工藝日趨成熟,其應(yīng)用范圍也不斷擴(kuò)大。

尤其是進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子整機(jī)和電子元器件正朝著微型化、輕型化、集成化,以及高可靠性和大功率輸出等方向發(fā)展,越來(lái)越復(fù)雜的器件對(duì)基片和封裝材料的散熱提出了更高要求,進(jìn)一步促進(jìn)了氮化鋁產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

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急問(wèn)氮化鋁的制備、性質(zhì)及用途

中文名稱(chēng):氮化鋁

拼音:danhualv

英文名稱(chēng):alumin(i)um nitride

分子式:AlN

分子量:40.99

密度:3.235g/cm3

說(shuō)明:AlN屬類(lèi)金剛石氮化物,最高可穩(wěn)定到2200℃。

室溫強(qiáng)度高,且強(qiáng)度隨溫度的升高下降較慢。

導(dǎo)熱性好,熱膨脹系數(shù)小,是良好的耐熱沖擊材料。

抗熔融金屬侵蝕的能力強(qiáng),是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。

氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望。

砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護(hù)它在退火時(shí)免受離子的注入。

氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?/p>

室溫下與水緩慢反應(yīng).可由鋁粉在氨或氮?dú)夥罩?00~1000℃合成,產(chǎn)物為白色到灰藍(lán)色粉末。

或由Al2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應(yīng)合成,產(chǎn)物為灰白色粉末。

或氯化鋁與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過(guò)氣相沉積法合成。

1.氮化鋁粉末純度高,粒徑小,活性大,是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。

2.氮化鋁陶瓷基片,熱導(dǎo)率高,膨脹系數(shù)低,強(qiáng)度高,耐高溫,耐化學(xué)腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。

工藝路線(xiàn):氮化鋁粉末采用碳熱還原氮化法;高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片采用氛常壓燒結(jié)法。


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